VD法，也叫DAPCVD法。
这是一种放电区内隐的直流电弧等离子体沉积法。
这种方法的优点就是，有极快的沉积速度。
是极快，不是一般的快！
在上世纪90年代的时候，就有实验室利用阴阳极呈直角的反应器实现了930m/h的高速生长。
这可是930m/h，不是930μm/h！
而且，就算是930μm/h，那也是远高于现在四十三所制备金刚石薄膜的40μm/h的。
更不要说930m/h了。
相比之下，一个的速度就是火箭，另一个则是自行车。
或许连自行车都算不上。
也是因为这种告诉生长的速率，这种方法一度成为热点方法。
制备工艺的话，也并不复杂。
主要就是在杆状阴极和环形阳极之间施加直流电压，当气体通过时引发电弧，加热气体，高温膨胀的气体从阳极嘴高速喷出，形成等离子体射流。
引弧的气体通常是氩气，等形成等离子体射流后，通入反应气体甲烷和氢气，甲烷和氢气被离化，并达到水冷沉积台的衬底，在衬底上成核、生长金刚石薄膜。
而且这种方法制备金刚石薄膜，不禁速度快，而且质量高，还无电磁污染。
但是，由于喷射等离子体的速度场合温度场不均匀，使其沉积范围内膜厚不均，会呈梯形分布。
在沉积速度过快时，膜的表面不平整，就会大大降低膜的致密度。
看到这，陈舟古怪的笑了笑：“看来，太快了也不好……”
但是整体来说，这种方法还是很有研究潜力的。
陈舟在草稿纸上做着记录，并把自己的想法记在一旁。
把DAPCVD法的相关文献看完后，陈舟右手滑动鼠标，点开了一个新的PDF文件。
最后一个制备方法。
微波等离子体CV